[发明专利]一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法在审
| 申请号： | 201810618045.3 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108565222A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔺增金;孙茂友;周丽哲;朱继红 | 申请（专利权）人： | 江苏矽导集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/426 | 分类号： | H01L21/426;H01L21/266;H01L23/29 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件领域内的一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法，包括如下步骤：1）清洗SiC半导体器件；2）在所述SiC器件表面淀积介质层SiO2；3）光刻定义介质层SiO2，光刻胶中间形成有开口，作为后续刻蚀介质层的掩膜；4）湿法刻蚀介质层SiO2，利用湿法刻蚀的各向同性刻蚀特性，形成自所述开口向两侧厚度逐渐增加的斜坡结构，作为后续离子注入的阻挡层；5）去掉光刻胶；6）通过掩蔽层高温Al离子注入形成P型掺杂，形成结深从器件内部向外逐渐降低的横向变掺杂的结终端扩展结构，本发明简化了器件制备工艺，在有效提高器件击穿电压的同时降低了工艺难度和工艺成本，可用于电力电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 结终端结构 湿法刻蚀 光刻胶 介质层 离子 掺杂 开口 半导体器件领域 电力电子系统 各向同性刻蚀 器件击穿电压 器件制备工艺 半导体器件 刻蚀介质层 表面淀积 定义介质 工艺成本 工艺难度 扩展结构 斜坡结构 逐渐降低 逐渐增加 掺杂的 结终端 掩蔽层 阻挡层 光刻 结深 可用 掩膜 制作 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1）清洗SiC半导体器件；2）在所述SiC器件表面淀积介质层SiO2；3）光刻定义介质层SiO2，光刻胶中间形成有开口，作为后续刻蚀介质层的掩膜；4）湿法刻蚀介质层SiO2，利用湿法刻蚀的各向同性刻蚀特性，形成自所述开口向两侧厚度逐渐增加的斜坡结构，作为后续离子注入的阻挡层；5）去掉光刻胶；6）通过掩蔽层高温Al离子注入形成P型掺杂，形成结深从器件内部向外逐渐降低的横向变掺杂的结终端扩展结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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