[发明专利]一种发光二极管封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：形成复合树脂板，在所述复合树脂板中形成多个平行排列的条形沟槽，并嵌入条形石墨块，接着在所述复合树脂板的上下表面直接沉积多层导热绝缘层，然后形成电路布线层，在所述电路布线层上安装多个发光二极管芯片，形成树脂封装胶层，在所述树脂封装胶层的上表面粘结PMMA板。本发明的发光二极管封装结构具有优异的密封性能、抗震性能、导热性能以及稳定性能，增长了其使用寿命。

主权项

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在第一聚苯乙烯层的上表面粘结第一PEN层，在所述第一PEN层的上表面粘结第一丁苯橡胶层，在所述第一丁苯橡胶层的上表面粘结第二PEN层，在所述第二PEN层的上表面粘结第二丁苯橡胶层，在所述第二丁苯橡胶的上表面粘结第三PEN层，在所述第三PEN层的上表面粘结ABS树脂层，以形成复合树脂板；2）在所述复合树脂板中形成多个平行排列的条形沟槽，所述条形沟槽贯穿所述复合树脂板，接着在每个所述条形沟槽中均嵌入一个条形石墨块，所述石墨块的顶表面与所述复合树脂板的上表面齐平，所述石墨块的底表面与所述复合树脂板的下表面齐平；3）接着在所述复合树脂板的下表面沉积第一氧化铝绝缘层，接着在所述第一氧化铝绝缘层的表面沉积导热金属层，接着在所述导热金属层上沉积第二氧化铝绝缘层，接着在所述复合树脂板的上表面沉积氮化硅绝缘层，接着在所述氮化硅绝缘层的表面沉积第三氧化铝绝缘层，所述第一氧化铝绝缘层的厚度为200‑300纳米，所述导热金属层的厚度为0.5‑5微米，所述第二氧化铝绝缘层的厚度为500‑800纳米，所述氮化硅绝缘层的厚度为300‑600纳米，所述第三氧化铝绝缘层的厚度为100‑200纳米；多个所述条形石墨块在所述第一氧化铝绝缘层与所述氮化硅绝缘层之间形成多条导热通路，以形成复合导热基板；4）在所述第三氧化铝绝缘层上沉积一导电金属层，并对所述导电金属层进行图案化处理以形成一电路布线层，所述导电金属层的厚度为300‑800纳米；5）在所述电路布线层上安装多个发光二极管芯片；6） 形成树脂封装胶层，所述树脂封装胶层完全包裹所述发光二极管芯片、所述电路布线层、所述复合导热基板的上表面和侧表面，所述复合导热基板的下表面暴露于所述树脂封装胶层，所述树脂密封层的材料包括聚苯乙烯40‑60份、PEN20‑40份、丁苯橡胶15‑30份、ABS10‑20份、2‑(2'‑羟基‑3'‑叔丁基‑5'‑甲基苯基)‑5‑氯代苯并三唑0.3‑0.6份、癸二酸双‑2,2,6,6‑四甲基哌啶醇酯0.2‑0.5份、四[β‑(3,5‑二叔丁基‑4‑羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯0.3‑0.8份、2,5‑二甲基‑2,5‑双(叔丁基过氧基)己烷0.5‑2份、2，5‑二苯甲酰基过氧化‑2，5‑二甲基己烷0.1‑0.3份、乙烯基三（β ‑甲氧基乙氧基）硅烷0.3‑0.6份、碳纤维1‑5份、氧化铝粉末 1‑2份、氮化硅粉末0.5‑3份以及荧光粉1‑5份；7）在所述树脂封装胶层的上表面粘结PMMA板。