[发明专利]镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用在审
申请号: | 201810618460.9 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108767241A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 廖云龙;周晓猛;张海军;张青松 | 申请(专利权)人: | 中国民航大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/46;H01M4/48;H01M10/0525 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 庞学欣 |
地址: | 300300 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
一种镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用。其中镁掺杂硅氧化物是由SiOx气体与镁掺杂气体共同沉积而制成,其中镁掺杂硅氧化物中的镁含量为0.1~15%,0 |
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搜索关键词: | 镁掺杂 硅氧化物 制备 二次锂离子电池 首次库伦效率 锂离子电池 负极材料 低成本 高品质 沉积 应用 制造 | ||
【主权项】:
1.一种镁掺杂硅氧化物,其特征在于:所述的镁掺杂硅氧化物是由SiOx气体与镁掺杂气体共同沉积而制成,其中镁掺杂硅氧化物中的镁含量为0.1~15%,0
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