[发明专利]镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用在审

专利信息
申请号: 201810618460.9 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN108767241A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 廖云龙;周晓猛;张海军;张青松 申请(专利权)人: 中国民航大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/46;H01M4/48;H01M10/0525
代理公司: 天津才智专利商标代理有限公司 12108 代理人: 庞学欣
地址: 300300 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用。其中镁掺杂硅氧化物是由SiOx气体与镁掺杂气体共同沉积而制成,其中镁掺杂硅氧化物中的镁含量为0.1~15%,0发明有益效果:可以制备出高品质、低成本且性能优异的镁掺杂硅氧化物,并且采用该镁掺杂硅氧化物作为负极材料能够制备出容量高、首次库伦效率高的二次锂离子电池。另外,由于镁掺杂气体在锂离子电池相关行业已被广泛利用,成本方面有利,因此可以廉价地制造出镁掺杂硅氧化物。
搜索关键词: 镁掺杂 硅氧化物 制备 二次锂离子电池 首次库伦效率 锂离子电池 负极材料 低成本 高品质 沉积 应用 制造
【主权项】:
1.一种镁掺杂硅氧化物,其特征在于:所述的镁掺杂硅氧化物是由SiOx气体与镁掺杂气体共同沉积而制成,其中镁掺杂硅氧化物中的镁含量为0.1~15%,0
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国民航大学,未经中国民航大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810618460.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

tel code back_top