[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810619182.9 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108615756A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层，所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。本发明所提供的半导体器件，能够有效增大二维电子气的浓度，并降低器件产生微裂纹的风险，增加了器件的可靠性和良率的同时又提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 漏极区域 源极区域 势垒层 衬底 二维电子气 降低器件 栅极区域 微裂纹 良率 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层，所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉骅半导体有限公司，未经苏州汉骅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810619182.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
