[发明专利]用于闪存存储器系统的改进的感测放大器有效
| 申请号： | 201810619270.9 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN110610738B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 钱晓州;X.Y.皮;K.M.岳;L.F.卞 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24;G11C7/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 存储器 系统 改进 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器系统，包括：/n读取电路，所述读取电路包括选择的闪存存储器单元、耦接到所选择的闪存存储器单元的第一位线、第一电容器和第一开关，其中在感测操作开始时，所述第一开关闭合并且所述第一电容器对所述第一位线充电，并且所述第一位线通过所选择的闪存存储器单元放电：/n基准电路，所述基准电路包括基准闪存存储器单元、耦接到所述基准闪存存储器单元的第二位线、第二电容器和第二开关，其中在感测操作开始时，所述第二开关闭合并且所述第二电容器对所述第二位线充电，并且所述第二位线通过所述基准闪存存储器单元放电；和/n时序比较电路，所述时序比较电路用于在读取操作期间在所述第一位线的电压先于所述第二位线的电压降至低于电压阈值时输出第一值，并且在读取操作期间在所述第二位线的电压先于所述第一位线的电压降至低于电压阈值时输出第二值，其中所述第一值和所述第二值各自指示存储在所选择的闪存存储器单元中的值。/n
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