[发明专利]磁记录装置有效
| 申请号： | 201810619813.7 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109949833B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 大竹雅哉;竹尾昭彦;小泉岳;友田悠介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及可以高记录密度化的磁记录装置。磁记录装置具备：具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的磁盘和对磁记录层写入磁数据的记录头(58)。记录头具备磁道宽度方向的宽度为40～55nm的主磁极(60)、隔着16～18.5nm的写间隙(WG)与主磁极相对的写屏蔽件(62)和在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间的磁通控制层(80)。磁通控制层具有：以金属层形成的第1控制层(80a)；以磁性金属或者软磁性金属合金的任一方形成并层叠于第1控制层上的第2控制层(80b)；和通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成并层叠于第2控制层上的第3控制层(80c)。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录装置，具备：具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的盘状的记录介质；和记录头，其具备磁道宽度方向的宽度为40～55nm的主磁极、隔着16～18.5nm的写间隙与前述主磁极相对的写屏蔽件、和在前述写间隙内设置于前述主磁极与前述写屏蔽件之间的磁通控制层，对前述磁记录层写入磁数据，前述磁通控制层具备：第1控制层，其由包含选自包括Cu、Au、Ag、Al、Ir、NiAl合金的组的至少1种金属的金属层形成；第2控制层，其由选自Fe、Co、Ni的磁性金属及包含前述磁性金属的至少1种的软磁性金属合金中的任一方形成，并层叠于前述第1控制层上；和第3控制层，其通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成，并层叠于前述第2控制层上，前述第1控制层接触于前述主磁极及前述写屏蔽件中的一方，前述第3控制层接触于前述主磁极及前述写屏蔽件中的另一方。
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