[发明专利]一种太阳电池及其制备方法

摘要

一种太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池采用硫化铟作为n型发射层，与硅基体成形成硅基硫化铟异质结。本发明的太阳电池采用以下方法制备而成：在双面制绒硅片的一面蒸镀过渡金属氧化物，形成欧姆接触层，以及获得铝背场；n型硫化铟发射层、导电膜、银前电极形成于硅片的另一面。本发明的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。本发明整个制备工艺避免高温处理过程，且制备过程中无污染物质的排放，对环境保护与节约能源非常有利。

主权项

1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，其中所述硅基体层的其中一面形成所述n型发射层，n型发射层其中一面与所述硅基体成之间的界面形成p‑n结；所述导电层形成于所述n型发射层的另一面，所述银前电极形成于所述导电层表面，前段向外露出，后端贯穿所述导电层并与所述n型发射层相连；所述欧姆接触层形成于所述硅基体层的另一面，所述铝背场形成于所述欧姆接触层表面。