[发明专利]沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构在审
| 申请号： | 201810620417.6 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109285770A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | J·玛格蒂斯;J·托勒 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;乐洪咏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族金属有机掺杂剂前体。所述方法可还包括在衬底的表面上沉积IV族半导体。还提供了包含通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 沉积 半导体器件结构 前体 有机掺杂剂 暴露 加热 室内 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法，所述方法包括：在反应室内提供衬底；加热所述衬底至沉积温度；暴露所述衬底于至少一种IV族前体；和暴露所述衬底于至少一种IIIA族金属有机掺杂剂前体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810620417.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：晶片的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
