[发明专利]一种BUCK驱动电路

摘要

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及一种BUCK驱动电路，包括PWM产生电路、单电源自举升压电平转移隔离驱动电路、BUCK电路、LC滤波电路、输出电压取样电路和输出电流取样电路。本发明的PWM产生电路采用UC3842芯片产生高频PWM信号，电路结构简单，降低电源电路的体积和重量，增加电源功率密度，采用单电源自举升压电平转移隔离驱动电路驱动BUCK电路的通断，提高输入电压动态范围，电路的抗干扰能力强，电源转化效率高。

主权项

1.一种BUCK驱动电路，其特征在于：包括PWM产生电路、单电源自举升压电平转移隔离驱动电路、BUCK电路、LC滤波电路、输出电压取样电路和输出电流取样电路；所述PWM产生电路包括UC3842芯片、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R6、电解质电容C1、非极性电容C2、非极性电容C6、非极性电容C11、非极性电容C12、第一接地端，所述电解质电容C1的正极端、非极性电容C2的第一端和电阻R2的第一端均与UC3842芯片的VCC端电连接，所述UC3842芯片的Vref端通过电阻R1分别电连接UC3842芯片的RCT端和非极性电容C12的第一端，所述非极性电容C6的第一端与UC3842芯片的COMP端电连接，所述非极性电容C6的第二端与UC3842芯片的FB端电连接，所述电阻R3与非极性电容C6并联连接，所述UC3842芯片的Cs端分别电连接非极性电容C11的第一端和电阻R6的第一端，所述电解质电容C1的负极端、非极性电容C2的第二端、非极性电容C11的第二端、非极性电容C12的第二端、UC3842芯片的GND端分别与第一接地端电连接；所述单电源自举升压电平转移隔离驱动电路包括光电耦合器IC2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电阻R10、电解质电容C3、非极性电容C4、电解质电容C5、非极性电容C7、快速恢复二极管D1、快速恢复二极管D2、稳压二极管DS1、三极管Q2、三极管Q3，所述三极管Q2和三极管Q3均采用PNP三极管，所述光电耦合器IC2的第一端通过电阻R5与UC3842芯片的OUT端电连接，所述非极性电容C7与电阻R5并联连接，所述光电耦合器IC2的第二端通过电阻R7与第一接地端电连接，所述光电耦合器IC2的第三端分别电连接电阻R10的第一端、快速恢复二极管D2的正极端、三极管Q2的集电极、三极管Q3的基极，所述光电耦合器IC2的第四端分别电连接电阻R4的第一端和三极管Q2的基极，所述电阻R4的第二端分别电连接电阻R3的第一端、快速恢复二极管D1的负极端、电解质电容C5的正极端，所述电解质电容C3的正极端、非极性电容C4第一端和快速恢复二极管D1的正极端分别与电阻R2的第二端电连接，所述电解质电容C3的负极端和非极性电容C4第二端均与第一接地端电连接，所述电阻R3的第二端与三极管Q2的发射极电连接，所述快速恢复二极管D2的负极端与三极管Q3的发射极电连接，所述稳压二极管DS1的负极端与三极管Q3的发射极电连接，所述稳压二极管DS1的正极端与三极管Q3的集电极电连接；所述BUCK电路包括电源输入端VIN、N沟道MOS管Q1、电感L1、电解质电容C8、共阴极的三端型肖特基二极管D3，所述电阻R2的第二端与电源输入端VIN电连接，所述电源输入端VIN与N沟道MOS管Q1的漏极端电连接，所述N沟道MOS管Q1的栅极端与稳压二极管DS1的负极端电连接，所述N沟道MOS管Q1的源极端分别电连接稳压二极管DS1的正极端、三端型肖特基二极管D3的共阴极端、电感L1的第一端，所述三端型肖特基二极管D3的两个阳极端均与第一接地端电连接，所述电感L1的第二端与电解质电容C8的正极端电连接；所述LC滤波电路包括电感L2、电解质电容C9、非极性电容C10、第二接地端和电源输出端VOUT，所述电感L2的第一端与电感L1的第二端电连接，所述电感L2的第二端分别电解质电容C9的正极端、非极性电容C10的第一端、电源输出端VOUT电连接，所述电阻R6的第二端、电解质电容C8的负极端、电解质电容C9的负极端、非极性电容C10的第二端均与第二接地端电连接；所述输出电压取样电路包括电位器RP1和电阻R9，所述电感L2的第二端通过电位器RP1与电阻R9的第一端电连接，所述电阻R9的第一端与非极性电容C6的第二端电连接，所述电阻R9的第二端与第一接地端电连接；所述输出电流取样电路包括电阻R8，所述电阻R8的第一端与电解质电容C8的负极端电连接，所述电阻R8的第二端与第一接地端电连接。