[发明专利]带有耦合场板的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201810620591.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108847422B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张春伟;李阳;岳文静;李志明;付小倩 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 250002 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极与漏电极之间的介质层表面设置有若干耦合场板，每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接。该结构可以通过耦合电极以及耦合场板的尺寸设计改变耦合场板的耦合电位，进而改变耦合场板对横向电场的调节作用，优化器件的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 耦合 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极和漏电极之间的介质层表面设有若干耦合场板，相邻两个耦合场板之间间隔设定距离；每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接；通过设置耦合电极与相应耦合场板之间的覆盖面积，能够改变耦合电极对相应耦合场板的耦合作用大小，从而改变相应耦合场板的耦合电位，进而调节相应耦合场板下方势垒层中的横向电场，最终优化器件栅电极与漏电极之间的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学，未经济南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810620591.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：横向可集成的肖特基结势垒场效应管
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
