[发明专利]一种N掺杂MXene材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810621467.6 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108831760A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 周爱军;孙贺雷;孙义民;曾伟;王若冲 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H01G11/34 | 分类号： | H01G11/34;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;官群 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N掺杂MXene材料及其制备方法和应用，所述N掺杂MXene材料由MAX相陶瓷材料经刻蚀除去A原子层后再插层、剥离得到单层或少层的MXene，再置于氨气和氩气的混合气中进行煅烧得到。本发明提供的N掺杂MXene材料具有单层片状结构，有利于电解质离子的传输速率，N元素均匀包覆在MXene层表面，提高了MXene本身的赝电容和导电性，降低了其各向异性，使MXene排列更为紧凑规整，并且N元素包覆MXene片层的表面，使其暴露更多的电化学活性位点，为电解质离子的传输和交换提供了更大的便利，N掺杂MXene材料具有更优异的电化学性能，以及超高的比电容。 | ||
| 搜索关键词： | 制备方法和应用 电解质离子 导电性 氨气 电化学活性 电化学性能 传输 氩气 单层片状 均匀包覆 陶瓷材料 规整 比电容 混合气 原子层 赝电容 包覆 插层 单层 刻蚀 片层 少层 位点 煅烧 紧凑 剥离 暴露 便利 交换 | ||
【主权项】：
1.一种N掺杂MXene材料，其特征在于，所述N掺杂MXene材料由MAX相陶瓷材料经刻蚀除去A原子层后再插层、剥离得到单层或少层的MXene，再置于氨气和氩气的混合气中进行煅烧得到。
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