[发明专利]一种减小存储节点漏光的全局像元结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种减小存储节点漏光的全局像元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管和复位管之间的所述衬底上的存储节点；其中，所述传输管上、复位管上和存储节点上覆盖有金属掩蔽层，所述存储节点上连接有接触孔，所述接触孔穿过金属掩蔽层设置，并与所述金属掩蔽层之间形成间隙，所述间隙中充满绝缘反射层，使金属掩蔽层和接触孔两者之间的漏光间隙被绝缘反射层填充，因此保证了入射光线无法进入存储节点的电荷存储区，减小了CMOS图像传感器全局像素单元存储节点的漏光问题，同时保证了金属掩蔽层和接触孔之间的电学隔离。本发明还公开了一种减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法。

主权项

1.一种减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管和复位管之间的所述衬底上的存储节点；其中，所述传输管上、复位管上和存储节点上覆盖有金属掩蔽层，所述存储节点上连接有接触孔，所述接触孔穿过金属掩蔽层设置，并与所述金属掩蔽层之间形成间隙，所述间隙中充满绝缘反射层。