[发明专利]用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置有效
| 申请号： | 201810626274.X | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN110610942B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 钱晓州;K.M.岳;罗光燕 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行和列的闪存存储器单元的阵列，其中每行被耦合到字线和控制栅极线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 闪存 存储器 系统 中字线 控制 栅极 之间 耦合 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器系统，包括：/n闪存存储器单元的阵列，其中所述闪存存储器单元被组织成行和列，并且每个闪存存储器单元包括字线端子、控制栅端子和浮栅；/n多个字线，所述多个字线中的每个字线耦合到所述阵列的一行中的所述闪存存储器单元的所述字线端子；/n多个控制栅极线，所述多个控制栅极线中的每个控制栅极线耦合到所述阵列的一行中的所述闪存存储器单元的所述控制栅极线端子；和/n去耦电路，所述去耦电路将用于读取操作的选择的行的控制栅极线耦合到第一电压源，并且将用于所述读取操作的未选择的行的控制栅极线耦合到第二电压源，其中由所述第二电压源生成的电压比由所述第一电压源生成的所述电压小ΔV的量；/n其中ΔV约等于所选择的行的所述控制栅极线的电压的增加，当所选择的行的所述字线驱动为高电平时，由于所选择的行的所述控制栅极线与所选择的行的所述字线之间的寄生电容而生成所述电压的所述增高。/n
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