[发明专利]高速增压型信号传输开关在审
| 申请号： | 201810627146.7 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108766500A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李晓蕴 | 申请（专利权）人： | 广州领知信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/18 | 分类号： | G11C19/18;G11C19/28;H03M1/12 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 叶绿林;杨大庆 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种高速增压型信号传输开关,包括:一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2。其优点是：本发明所提供的高速增压型信号传输开关，克服了现有信号传输开关中信号摆幅受限的问题，可以广泛应用于各类信号处理电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 信号传输开关 高速增压 电容 集成电路设计 信号处理电路 传输开关 电荷传输 现有信号 信号摆幅 增压电路 栅压自举 受限 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高速增压型信号传输开关，其特征是：包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2；所述高速增压型信号传输开关对应连接关系为：第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni，即电荷传输MOSFET管S的源极，还连接到栅压自举增压电路的电压输入端；第一NMOS管M1的源端和衬底连接到地电平，第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的漏端连接到第一PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端，第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压，第二NMOS管M2的衬底接地电平；第一PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压，第一PMOS管M3的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端；电荷传输目标节点No，即电荷传输MOSFET管S的漏极，通过第二电容C2接控制信号Ck1n；电荷待传输节点Ni通过第一电容C1接控制信号Ck1；电荷传输MOSFET管S的衬底连接到地电平；栅压自举增压电路的时钟输入端连接控制信号Ck1；其中，所述控制信号Ck1和控制信号Ck1n为高电平不交叠脉冲信号。
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