[发明专利]工艺波动不敏感增强型信号传输开关

摘要

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种工艺波动不敏感增强型信号传输开关，包括：一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2、一个电荷传输镜像MOSFET管MSR、第一镜像NMOS管M1R、第二镜像NMOS管M2R、第一镜像PMOS管M3R、电流源I1、电压源V1和误差放大器AE。其优点是克服了现有信号传输开关电路中信号摆幅受限和共模电荷易受PVT波动影响的问题，可以广泛应用于各类信号处理电路中。

主权项

1.一种工艺波动不敏感增强型信号传输开关，其特征是：包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2、一个电荷传输镜像MOSFET管MSR、第一镜像NMOS管M1R、第二镜像NMOS管M2R、第一镜像PMOS管M3R、电流源I1、电压源V1和误差放大器AE；所述工艺波动不敏感增强型信号传输开关的连接关系为：第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni，即电荷传输MOSFET管S的源极，还连接到栅压自举增压电路的电压输入端；第一NMOS管M1的源端连接到地电平，第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端，第一NMOS管M1的衬底连接到第一镜像NMOS管M1R的衬底和误差放大器AE的误差输出端；第二NMOS管M2的漏端连接到第一PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端G，第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压，第二NMOS管M2的衬底接地电平；第一PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压，第一PMOS管M3的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端Vboost；第一镜像NMOS管M1R的源端连接到地电平，第一镜像NMOS管M1R的漏端连接到第二镜像NMOS管M2R的源端；第二镜像NMOS管M2R的漏端连接到第一镜像PMOS管M3R的漏端和电荷传输镜像MOSFET管MSR的栅端，第二镜像NMOS管M2R的栅端连接到第一偏置电压，第二镜像NMOS管M2R的衬底接地电平；第一镜像PMOS管M3R的栅端连接到第二偏置电压，第一镜像PMOS管M3R的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端Vboost；电荷传输目标节点No，即电荷传输MOSFET管S的漏极，通过第二电容C2接控制信号Ck1n；电荷待传输节点Ni通过第一电容C1接控制信号Ck1；电荷传输MOSFET管S和电荷传输镜像MOSFET管MSR的衬底均连接到地电平；栅压自举增压电路的时钟输入端连接控制信号Ck1；误差放大器AE的负电压输入端连接基准电压V’R，误差放大器AE正电压输入端同时连接第一镜像NMOS管M1R的栅端、电荷传输镜像MOSFET管MSR的源端和电流源I1的电流输入端；电流源I1的电流输出端接地电平；电压源V1的高电压输出端接电荷传输镜像MOSFET管MSR的漏端，电压源V1的低电压输出端接地电平；其中，所述控制信号Ck1和控制信号Ck1n为高电平不交叠脉冲信号。