[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810630341.5 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109103302B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和电子阻挡层；对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，降低电子阻挡层的电阻率；采用化学气相沉积技术在电子阻挡层上生长P型半导体层。本发明通过对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，有利于电子阻挡层的各组分均匀掺杂在电子阻挡层中，提高电子阻挡层中元素掺杂的均匀性和有效性，保证外延片生长质量的一致性和均匀性，减少和释放蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的缺陷和应力，从而降低电子阻挡层的电阻率，提高电子阻挡层的载流子迁移率，最终改善LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和电子阻挡层；对所述电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，降低所述电子阻挡层的电阻率；采用化学气相沉积技术在所述电子阻挡层上生长P型半导体层。
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