[发明专利]一种混合沟道化合物半导体器件在审
| 申请号： | 201810631911.2 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110620143A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 夏令 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100093 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明专利公开了一种混合沟道化合物半导体器件，其中器件的凹槽状栅电极通过控制垂直和横向两种电子沟道，实现常闭型化合物半导体器件。本器件避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功率电子中的高效率、耐高压的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物半导体器件 化合物半导体 晶体管 电子沟道 功率电子 功率模块 混合沟道 凹槽状 常闭型 常开型 高效率 耐高压 栅电极 短路 垂直 安全 | ||
【主权项】：
1.一种混合沟道化合物场效应晶体管，包括衬底和在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层；/n从所述第二势垒层的上表面设有贯穿至不超过所述第一势垒层的下表面的凹槽状的栅极沉积区，并在所述栅极沉积区的两侧分别设有贯穿至不超过所述第二势垒层的下表面形成的源极沉积区，和从所述第二势垒层的上表面贯穿至不超过所述第一势垒层下表面的漏极沉积区；/n所述混合沟道化合物场效应晶体管还包括栅介质层、栅极层、源极层和漏极层，其中，所述栅介质层覆盖在所述栅极沉积区的底面及侧面上，并向外侧延伸至所述第二势垒层的上方；/n所述栅极层从所述栅极沉积区一侧的所述栅介质层上方，沿所述栅介质层延伸至另一侧的所述栅介质层的上方；/n所述源极层和所述漏极层分别从所述源极沉积区的底部和所述漏极沉积区的底部沿相应的侧面延伸至所述第二势垒层的上方；/n所述栅极层可以通过电场透过所述栅介质层控制所述第二沟道层中水平和垂直两个方向的电流大小。/n
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