[发明专利]一种二维材料范德瓦尔异质结的精确构建方法在审
申请号: | 201810632110.8 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN109065735A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 陆健婷;招瑜;杨亿斌;魏爱香;刘俊 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 杨晓松 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维材料范德瓦尔异质结的精确构建方法,包括如下步骤:S1:在p型二维材料氧化硅衬底上旋涂聚苯乙烯甲苯溶液;S2:干燥:将经步骤S1旋涂后的衬底干燥;S3:PS片脱离:配制KOH溶液,将经步骤S2处理后的衬底放置于KOH溶液,衬底中的二氧化硅层被KOH刻蚀后,带着p型二维材料氧化硅的聚苯乙烯甲苯膜从衬底中脱离,浮于溶液表面;S4:对版操作:将步骤S3脱离的聚苯乙烯甲苯膜和n型二维材料衬底精确对版,在显微镜的辅助观察下将目标二维材料范德瓦尔异质结精确搭建成功;S5:固化;S6:去胶。本发明具有所需设备和制备工艺简单精确、操作时间短,可直接得到接触良好、纯度较高、重叠区域大的二维材料范德瓦尔异质结等优点。 | ||
搜索关键词: | 二维材料 衬底 异质结 聚苯乙烯 甲苯 对版 构建 脱离 二氧化硅层 甲苯溶液 溶液表面 氧化硅衬 制备工艺 重叠区域 氧化硅 显微镜 固化 刻蚀 去胶 上旋 旋涂 配制 观察 成功 | ||
【主权项】:
1.一种二维材料范德瓦尔异质结的精确构建方法,其特征在于:包括如下步骤:S1:在p型二维材料氧化硅衬底上旋涂聚苯乙烯甲苯溶液;S2:干燥:将经步骤S1旋涂后的衬底干燥;S3:PS片脱离:配制KOH溶液,将经步骤S2处理后的衬底放置于KOH溶液,衬底中的二氧化硅层被KOH刻蚀后,带着p型二维材料氧化硅的聚苯乙烯甲苯膜从衬底中脱离,浮于溶液表面;S4:对版操作:将步骤S3脱离的聚苯乙烯甲苯膜和n型二维材料衬底精确对版,在显微镜的辅助观察下将目标二维材料范德瓦尔异质结精确搭建成功;S5:固化:将步骤S4搭建成功后的异质结衬底置于加热板中固化;S6:去胶:将步骤S5固化后的异质结衬底置于甲苯中浸泡,将聚苯乙烯甲苯胶去掉,得到搭建成功的二维材料范德瓦尔异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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