[发明专利]一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺

摘要

本发明提出一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺，包括下列步骤：提供一具有分裂栅结构的膜层结构，进行BARC和DARC刻蚀步骤，并通过调整刻蚀量使得Y向AA上方的DARC不完全打开；进行APF刻蚀步骤，Y向AA上方由于有DARC保护使得其APF不会被刻蚀，通过控制刻蚀量，在刻蚀过程后Y向AA附近区域剩余部分APF；进行BT刻蚀步骤，刻蚀过程曝光区域浮栅表面自然氧化层和Y向AA附近的APF都刻蚀开，并将新露出浮栅的表面自然氧化层也完全打开；进行SL刻蚀步骤，通过该刻蚀过程将曝光区域剩余的FG全部刻蚀干净；进行APF灰化过程，将剩余的APF去除获得符合要求的栅极结构。本发明能解决分裂栅工艺中浮栅隔离刻蚀中的氧化层被刻穿及硅基底损毁问题。

主权项

1.一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺，其特征在于，包括下列步骤：提供一具有分裂栅结构的膜层结构，进行底部抗反射层和介质抗反射层刻蚀步骤，并通过调整刻蚀量使得Y向活性区上方的介质抗反射层不完全打开；进行先进图案膜层刻蚀步骤，Y向活性区上方由于有介质抗反射层保护使得其先进图案膜层不会被刻蚀，通过控制刻蚀量，在刻蚀过程后Y向活性区附近区域剩余部分先进图案膜层；进行自然氧化层去除刻蚀步骤，刻蚀过程将曝光区域已露出的浮栅表面自然氧化层和Y向活性区附近的先进图案膜层都刻蚀开，并将新露出浮栅的表面自然氧化层完全打开；进行软刻蚀步骤，通过该刻蚀过程将曝光区域剩余的浮栅全部刻蚀干净；进行先进图案膜层灰化过程，将剩余的先进图案膜层去除即可获得符合要求的栅极结构。