[发明专利]一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法在审
| 申请号： | 201810632617.3 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110614574A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;徐现刚;杨祥龙;彭燕;胡小波;王瑞琪 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B27/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域，方法包括步骤如下：1)、采用抛光机，磨料为金刚石微粉，将金刚石粉、分散剂、水按比例配成抛光液，设定机器转速20‑40rpm，压力为100‑500g/cm2，抛光时间1‑1.5h；2)、采用抛光机，磨料为金刚石微粉，将金刚石粉、分散剂、水按比例配成抛光液，设定机器转速20‑40rpm，压力为100‑200g/cm2，抛光时间0.5‑1.5h。研磨后的晶片表面平整，无异常划痕，总时间1.5‑2.5h，比常规的抛光方法(采用硬质抛光布和上述同样的金刚石抛光液)节约2‑5h。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 磨料 金刚石微粉 机器转速 金刚石粉 分散剂 抛光机 抛光液 金刚石抛光液 晶体材料加工 晶片表面 双面机械 研磨 常规的 抛光布 划痕 硬质 平整 节约 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法，包括步骤如下：/n1)、采用抛光机，磨料为金刚石微粉，将金刚石粉、分散剂、水按比例配成抛光液，设定机器转速20-40rpm，压力为100-500g/cm2，抛光时间1-1.5h；/n2)、采用抛光机，磨料为金刚石微粉，将金刚石粉、分散剂、水按比例配成抛光液，设定机器转速20-40rpm，压力为100-200g/cm2，抛光时间0.5-1.5h。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810632617.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种教学型金相试样切割机
- 下一篇：一种不锈钢衬底的抛光方法和太阳能薄膜电池
