[发明专利]一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810634016.6 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108565288B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 黄如;贾润东;黄芊芊;王慧敏;陈亮;陈诚;赵阳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无法进入沟道当中，可以获得超低泄漏电流。在施加栅压的过程中，势垒逐渐降低，源区位于能量窗口内的载流子可以通过窗口进入沟道，被漏端收集形成电流，可以获得小于60mV/dec的亚阈值斜率。当器件处于开态时，栅压可以调控二维半导体材料之间的能带对准方式，降低源区和超晶格之间势垒高度，相比传统的三维半导体材料构成的超晶格陡亚阈器件来讲，可以获得更高的开态电流。该器件制备工艺简单，具备大规模生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 半导体材料 陡亚阈 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件，包括绝缘衬底、源区、漏区、沟道区、栅介质层、源电极、漏电极和控制栅电极，其中，源区为具有窄禁带宽度的二维半导体材料，沟道区和漏区为二维半导体材料；在源区上方，源区和沟道区之间插入由两种具有不同电子亲和势的纳米尺度厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构；栅介质层和控制栅电极位于超晶格结构上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810634016.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
