[发明专利]一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201810634017.0 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108831928B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 黄如;贾润东;黄芊芊;王慧敏;陈亮;杨勐譞 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/34;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及其制备方法，采用二维合金半导体材料HfZrSe |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体材料 电容 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维半导体材料的负电容场效应晶体管，包括绝缘衬底，在绝缘衬底上为作为沟道的二维合金半导体材料HfZrSe2层，HfZrSe2层表面为具有铁电特性的HfZrO2介质层，该具有铁电特性的HfZrO2介质层的厚度在10nm以下；源、漏电极位于所述HfZrO2介质层上，在源、漏电极之间为高k栅介质层，控制栅电极位于高k栅介质层上。
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