[发明专利]一种新型晶体管的制作方法

摘要

本本发明提供一种新型晶体管的制作方法，将具有介电、铁电、光电、热电、超导、巨磁阻等性能的钙钛矿结构氧化物材料交叉耦合，采用全外延工艺，每层的层厚和载流子浓度都较锗硅晶体管更易控制，结面更锐，加上钙钛矿结构氧化物材料熔点高，稳定性好，钙钛矿结构氧化物晶体管广泛应用于电子器件，尤其是与锰酸镧相关的晶体管对磁场很敏感，与钛酸钡相关的晶体管对热光敏感，因此可制作一些特殊的探测器，也可发展成为钙钛矿结构氧化物集成电路。

主权项

1.一种新型晶体管的制作方法是基于钙钛矿结构氧化物复合，其特征在于以SrTiO3、BaTiO3、YBa2Cu3O7-Δ(YBCO)和LaMnO3四种钙钛矿结构材料为基础，掺杂而成具有P型和N型的上述四类薄膜材料，在SrTiO3或YSZ或LaAlO3或Nb:SrTiO3单晶基片上将不同性质的P型和N型薄膜材料进行叠层外延生长，形成P-N、P-N-P、N-P-N结和多结结构各种晶体管；其中N型钛酸锶为SrAxTi1-XO3或Sr1-XLaxTiO3,A是Nb或Sb或Ta；P型钛酸锶为SrBxTi1-XO3,B是In或Mn；N型钛酸钡为BaCxTi1-XO3或Ba1-XLaxTiO3,C是Nb或Sb或Ta；P型钛酸钡为BaDxTi1-XO3,D是In或Mn；N型锰酸镧为La1-XExMnO3,E是Te或Nb或Sb或Ta,P型锰酸镧为La1-XFxMnO3,F是Sr或Ca或Ba或Pb；X的取值范围为0.005-0.6。/n