[发明专利]一种3D芯片冗余硅通孔的容错结构和方法在审
申请号: | 201810634826.1 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN110620097A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 赵凯;邝艳梅;缪旻 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100101 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种三维集成电路芯片中冗余硅通孔的容错结构和方法,其目的是通过重构冗余结构对缺陷TSV进行容错,使芯片恢复正常工作。本发明公开了一种双重冗余容错结构,具体为根据数据位宽的大小将TSV阵列动态划分成若干个TSV簇单元,在TSV簇单元中包含信号TSV簇单元和冗余TSV簇单元,且在每个信号TSV簇单元中配备一定比例的冗余TSV结构,即在TSV阵列中既存在分散冗余TSV容错结构又存在聚集的冗余TSV容错结构。本发明公开的双重冗余容错结构可以根据数据位宽进行重构,具有较高的灵活性,该结构既能实现单独分散出现的TSV缺陷的容错又能实现TSV簇缺陷的容错,大大提高了三维集成电路芯片的容错能力,进一步提高了芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 容错结构 冗余 芯片 三维集成电路 数据位宽 双重冗余 重构 容错能力 冗余结构 硅通孔 配备 | ||
【主权项】:
1.一种3D芯片冗余硅通孔的容错结构和方法,其特征在于,采用可重构的双重冗余结构实现对缺陷TSV的容错。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810634826.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。