[发明专利]一种3D芯片冗余硅通孔的容错结构和方法在审

专利信息
申请号: 201810634826.1 申请日: 2018-06-20
公开(公告)号: CN110620097A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 赵凯;邝艳梅;缪旻 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100101 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种三维集成电路芯片中冗余硅通孔的容错结构和方法,其目的是通过重构冗余结构对缺陷TSV进行容错,使芯片恢复正常工作。本发明公开了一种双重冗余容错结构,具体为根据数据位宽的大小将TSV阵列动态划分成若干个TSV簇单元,在TSV簇单元中包含信号TSV簇单元和冗余TSV簇单元,且在每个信号TSV簇单元中配备一定比例的冗余TSV结构,即在TSV阵列中既存在分散冗余TSV容错结构又存在聚集的冗余TSV容错结构。本发明公开的双重冗余容错结构可以根据数据位宽进行重构,具有较高的灵活性,该结构既能实现单独分散出现的TSV缺陷的容错又能实现TSV簇缺陷的容错,大大提高了三维集成电路芯片的容错能力,进一步提高了芯片的可靠性。
搜索关键词: 容错结构 冗余 芯片 三维集成电路 数据位宽 双重冗余 重构 容错能力 冗余结构 硅通孔 配备
【主权项】:
1.一种3D芯片冗余硅通孔的容错结构和方法,其特征在于,采用可重构的双重冗余结构实现对缺陷TSV的容错。/n
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