[发明专利]一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用在审
| 申请号： | 201810634837.X | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108872325A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李晓干;李欣宇;王明峰;顾丁;刘航 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，提供一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。本发明采用热氧化法获得一种新型异质结复合纳米材料，原材料获取方便、价格低廉、制备异质结过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。本发明利用二硒化锡和二氧化锡异质结复合纳米材料制作的二氧化氮传感器工作温度为120℃，可以实现材料与硅基微电子相集成。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 二氧化氮气体 复合纳米材料 气敏材料 传感器 二氧化锡 加热基板 制备工艺 涂覆 硒化 制备 二氧化氮传感器 纳米材料技术 二维半导体 热氧化法 工艺流程 硅基 微电子 应用 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。
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