[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810635517.6 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109102836B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树;小嶋英充 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够正确读取数据的半导体存储装置。本发明的存储装置包括存储器单元阵列、页缓冲器、差动感测放大器、输出电路和验证电路。页缓冲器维持从存储器单元阵列所读取的数据，并且响应于列选择信号，将所维持的数据输出至数据总线。差动感测放大器响应于感测使能信号，用以感测数据总线上的数据。输出电路输出由差动感测放大器所感测的数据。验证电路验证差动感测放大器的操作边限。根据验证电路所验证的结果，调整感测使能信号的时序。本发明能够因应制造偏差和操作环境变动来正确地读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，其包括：维持电路，被配置为维持从存储器单元阵列所读取的数据，并且响应于列选择信号，将所维持的所述数据输出至数据总线；感测电路，被配置为响应于感测使能信号，感测所述数据总线上的所述数据；输出电路，被配置为输出所述感测电路所感测的所述数据；以及验证电路，被配置为验证所述感测电路的操作边限，并输出验证结果；其中，根据所述验证电路的所述验证结果，设定所述感测使能信号的时序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810635517.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非挥发性半导体储存装置及其读取方法
- 下一篇：含有哑字线的三维一次编程存储器
