[发明专利]一种表面等离激元增强半导体有源器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810636339.9 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108767073B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 云峰;苏喜林;李虞锋;郭茂峰;张敏妍;张烨 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/50 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种表面等离激元增强半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括基体和形成于基体上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于基体上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和表面等离激元耦合层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该方法包括步骤：制作外延结构；在第二半导体层的多量子阱层表面制作表面等离激元层；在表面等离激元层上制作第二电极；暴露出全部或部分第一半导体层，作为制作第一电极的接触层；暴露的第一半导体层的电接触层位置上制作第一电极；在第一半导体层表面非电极区域制作波长配比选择膜层。本发明实现了宽光谱或多光谱辐射，以及无荧光粉单芯片白光辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 离激元 增强 半导体 有源 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面等离激元增强半导体有源器件，其特征在于，包括基体和形成于基体上的多层半导体结构；其中，多层半导体结构包括依次形成于基体上的第一半导体层(100)、有源层(300)、第二半导体层和表面等离激元耦合层(400)，以及分别与第一半导体层(100)和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极(500)和第二电极(600)。
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