[发明专利]一种家庭石斛的种植方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810638232.8 申请日: 2018-06-20
公开(公告)号: CN108834856A 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 王成;张军 申请(专利权)人: 霍山县天下泽雨生物科技发展有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G31/02;A01G24/10;A01G24/23;A01G24/25
代理公司: 六安众信知识产权代理事务所(普通合伙) 34123 代理人: 鲍龙凤
地址: 237200 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种家庭石斛的种植方法,包括以下步骤:步骤1,选择种植基质:下层选用垫底基质,中层选用过度基质,下层选用营养基质,步骤2,石斛幼苗的选择:从培养基选择优质幼苗,步骤3,石斛种植:把步骤1中的种植基质筛选,从大到小依次放入到种植装置内,把石斛植株放在花盆中央,步骤4,种植后的处理:种植的石斛根周围撒石斛专用的肥料,步骤5,石斛的养护:给步骤3种植石斛每天进行浇水,同时公开一种用于家庭石斛种植的装置,包括花盆,花盆周围设透水孔,花盆放在托盘内,托盘上设遮阳板,遮阳板通过支撑杆连接到托盘一侧,本发明通过种植基质分层和遮阳板避免石斛根部腐烂和石斛叶子发黄。
搜索关键词: 石斛 花盆 种植 托盘 种植基质 遮阳板 基质 下层 幼苗 培养基选择 营养基质 种植装置 植株 透水孔 支撑杆 专用的 发黄 放入 分层 腐烂 浇水 叶子 肥料 养护 中层 筛选
【主权项】:
1.一种家庭石斛的种植方法,包括以下步骤:步骤1,选择种植基质:下层选用垫底基质,中层选用过度基质,下层选用营养基质。步骤2,石斛幼苗的选择:从培养基选择长势好、无害虫、根系发达及萌芽多的幼苗,把根系剪短到2‑5cm,使用清水清洗掉培养基质。步骤3,石斛种植:把步骤1中的种植基质筛,从大到小依次放入到种植装置内,上层基质留3‑5cm的空间,放置石斛,石斛植株放在花盆中央,用营养基质掩埋。步骤4,种植后的处理:在步骤3种植的石斛根周围撒石斛专用的肥料,然后用营养物质覆盖,透水浇一次。步骤5,石斛的养护:给步骤3种植石斛每天进行浇水,把石斛上层的营养物质浇透,定时除虫,每一周进行除虫一次。
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