[发明专利]制造具改进腔体的单晶压电射频谐振器和滤波器的方法

摘要

一种制造FBAR滤波器装置的方法，FBAR滤波器装置包括一个谐振器阵列，每个谐振器包括夹在第一和第二电极之间的单晶压电薄膜，其中第一电极由空气腔体上的支撑薄膜支撑，所述空气腔体被嵌入硅柄上的二氧化硅层中，具有穿过所述硅柄并进入空气腔体中的硅通孔，在二氧化硅层中的所述空气腔体的侧壁被能抵抗二氧化硅蚀刻剂的边界沟槽所限定。

主权项

1.一种制造包括一谐振器阵列的FBAR滤波器装置的方法，每个谐振器包括夹在第一和第二金属电极之间的单晶压电薄膜，其中第一电极由空气腔体上的支撑薄膜支撑，所述空气腔体被嵌入硅盖上的二氧化硅层中，具有穿过所述硅盖并进入空气腔体中的硅通孔，在二氧化硅层中的所述空气腔体的侧壁被能抵抗二氧化硅蚀刻剂的边界沟槽所限定，所述方法包括以下阶段：A.在硅盖上的二氧化硅块上制造支撑薄膜，所述支撑薄膜具有穿过支撑薄膜的被填充的沟槽，所述沟槽穿过所述二氧化硅层，其中所述支撑薄膜被涂覆至少一层第一金属电极的键合层，所述键合层通过粘附层耦合到所述支撑薄膜；B.制造耦合到可拆载体衬底的压电层，所述压电层被涂覆至少一层第一金属电极的键合层，所述键合层通过粘附层耦合到压电薄膜；C.通过将所述两个键合层键合在一起以将所述支撑薄膜键合到所述压电薄膜，以使所述第一金属电极夹在所述压电薄膜与所述支撑薄膜之间；D.对耦合到所述压电层侧的支撑薄膜上的压电层进行加工，包括通过移除载体衬底、通过将压电层修整成压电薄膜、第一电极层和暴露开的支撑薄膜表面、和将所述压电薄膜用钝化材料包围并用第二电极涂覆、以及建立密封圈基底部件和接触叠层；E.外表面上以及内表面的密封环和接触叠层的上部上制造具有外部焊端的盖子阵列，使所述外部焊端通过盖板通孔耦合到接触叠层，并制造密封环的上部和接触叠层以便通过键合层耦合到接触叠层的上部；F.通过将所述密封环的基底部分和接触叠层耦合到所述密封环的上部部分和具有键合层的接触叠层，将所述滤波器阵列附接到所述盖阵列上；G.将硅盖削薄，并钻取穿过所述硅盖至所述二氧化硅层的孔，蚀刻掉二氧化硅和可选地蚀刻掉支撑薄膜的至少一部分，并将蚀刻孔密封；H.将所述阵列切割成单独的滤波器。