[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201810641136.9 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108546090B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;但马望 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/453;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王铭浩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO |
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| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 半导体 薄膜 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其包含含有铟元素In、锡元素Sn、锌元素Zn及铝元素Al的氧化物，所述氧化物包含InAlO3(ZnO)m表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物，所述m为0.1～10。
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