[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及半导体封装的制造方法有效

专利信息
申请号: 201810641693.0 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN109427761B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 东条启;小林龙也;内田雅之;伊藤宜司;下川一生 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 房永峰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置包括基底、第1半导体芯片以及第2半导体芯片。基底具有布线。第1半导体芯片具有第1半导体元件部。第2半导体芯片具有第2半导体元件部,经由上述布线的至少1个与上述第1半导体芯片电连接。第2半导体芯片包括:包括上述第2半导体元件部的第1区域;与上述第1区域连续的第1部分;以及与上述第1区域连续,在与从上述基底朝向上述第1区域的第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离的第2部分。上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 以及 封装
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:基底,具有布线;第1半导体芯片,具有第1半导体元件部;以及第2半导体芯片,具有第2半导体元件部,经由上述布线的至少1个布线与上述第1半导体芯片电连接,上述第2半导体芯片包括:第1区域,包括上述第2半导体元件部;第1部分,与上述第1区域连续;以及第2部分,与上述第1区域连续,在与第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离,上述第1方向是从上述基底朝向上述第1区域的方向,上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
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