[发明专利]垂直存储器件

摘要

提供了一种垂直存储器件及制造该器件的方法。垂直存储器件可以包括：堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层；划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的在第一方向上延伸的多个上隔离绝缘层；多个垂直孔，所述多个垂直孔布置为使任意两个相邻的垂直孔在整个单元区域中彼此具有均匀的距离，并且包括贯穿所述多个栅电极层并设置在所述多个上隔离绝缘层之间的多个沟道孔、以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的多个第一支撑孔；设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构；以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构。

主权项

1.一种垂直存储器件，包括：堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层；划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的多个上隔离绝缘层，所述多个上隔离绝缘层设置为在第一方向上延伸并且彼此间隔开；多个垂直孔，所述多个垂直孔包括：贯穿所述多个栅电极层的多个沟道孔，所述多个沟道孔设置在所述多个上隔离绝缘层之间；以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的至少一部分的多个第一支撑孔，其中所述多个垂直孔中任意两个相邻的垂直孔在整个所述单元区域彼此具有均匀的距离；设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构；以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构，其中所述多个沟道孔和所述多个第一支撑孔具有相同的直径，并且所述多个沟道结构包括与所述多个第一支撑结构不同的材料。