[发明专利]梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法有效
| 申请号： | 201810641917.8 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108931321B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 韩建强;赵正前;朱安赐 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10;G01L1/16;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 沈敏强 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的目的是提供一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的技术方案是：一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构，具有谐振梁、感压膜片和位于感压膜片上的两个硅岛，所述谐振梁悬置于两个硅岛之间，该谐振梁上形成有激励电阻和压敏电阻；所述感压膜片、硅岛和谐振梁由一块(100)面硅片经各向异性腐蚀液腐蚀后形成；硅片在各向异性腐蚀液中腐蚀形成感压膜片和硅岛的同时，从(111)面腐蚀谐振梁下方的硅释放沿110晶向的谐振梁，获得一体化的梁岛膜结构；所述硅片的电阻率小于0.1Ω.cm，掺杂浓度小于自停止腐蚀浓度。本发明适用于微电子机械系统(MEMS)领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一体化 谐振 压力传感器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构，其特征在于：具有谐振梁(9)、感压膜片(8)和位于感压膜片(8)上的两个硅岛(13)，所述谐振梁(9)悬置于两个硅岛(13)之间，该谐振梁上形成有激励电阻(3)和压敏电阻(4)；所述感压膜片(8)、硅岛(13)和谐振梁(9)由一块(100)面硅片经各向异性腐蚀液腐蚀后形成；硅片在各向异性腐蚀液中腐蚀形成感压膜片(8)和硅岛(13)的同时，从(111)面腐蚀谐振梁下方的硅释放沿<110>晶向的谐振梁(9)，获得一体化的梁岛膜结构；所述硅片的电阻率小于0.1Ω.cm，掺杂浓度小于自停止腐蚀浓度。
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