[发明专利]量子级联激光器

摘要

本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：半导体器件部，所述半导体器件部具有衬底、半导体层压件和半导体绝缘部，半导体层压件具有主表面，衬底具有背表面和衬底端面，半导体层压件具有层压件端面，半导体绝缘部和衬底被设置为沿着与第二方向交叉的参考平面，半导体器件部具有前端面和后端面，前端面和后端面被布置在第二方向上，后端面包括衬底端面，并且衬底端面沿着参考平面延伸；第一电极，所述第一电极被设置在半导体层压件上；以及金属膜，所述金属膜被设置在后端面、半导体绝缘部和第二电极上，金属膜远离第一电极。

主权项

1.一种量子级联激光器，所述量子级联激光器包括：半导体器件部，所述半导体器件部包括衬底、半导体层压件和半导体绝缘部，所述衬底和所述半导体层压件被布置在第一方向上，所述半导体层压件被设置在所述衬底上，所述半导体层压件具有主表面，所述衬底具有背表面，所述主表面和所述背表面被布置在所述第一方向上，所述衬底具有衬底端面，所述半导体层压件具有层压件端面、在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述层压件端面延伸的芯层以及被设置在所述芯层上的包覆层，所述半导体绝缘部和所述衬底被设置为沿着与所述第二方向交叉的参考平面，所述半导体器件部具有前端面和后端面，所述前端面和所述后端面被布置在所述第二方向上，所述后端面包括所述衬底端面，并且所述衬底端面沿着所述参考平面延伸；第一电极，所述第一电极被设置在所述半导体层压件上；第二电极，所述第二电极被设置在所述衬底的所述背表面上；以及金属膜，所述金属膜被设置在所述后端面、所述半导体绝缘部和所述第二电极上，所述金属膜远离于所述第一电极。