[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；具有多个栅电极的栅电极堆叠，所述多个栅电极在第一区域中在垂直于衬底的上表面的第一方向上垂直地堆叠并彼此间隔开，并且在平行于衬底的上表面的第二方向上从第一区域到第二区域延伸为具有不同的长度；在第一区域和第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸同时贯穿衬底上的栅电极堆叠的第一隔离区域和第二隔离区域；串隔离区域，在第一区域中设置在第一隔离区域与第二隔离区域之间，并且在第二方向上延伸同时贯穿栅电极堆叠的一部分；以及在第一区域和第二区域中的至少一个中与串隔离区域线形地设置并在第二方向上彼此间隔开的多个辅助隔离区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有第一区域和第二区域的衬底；具有多个栅电极的栅电极堆叠，所述多个栅电极在所述第一区域中在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上垂直地堆叠并且彼此间隔开，并且在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上从所述第一区域到所述第二区域延伸为具有不同的长度；第一隔离区域和第二隔离区域，所述第一隔离区域和所述第二隔离区域在所述第一区域和所述第二区域中在垂直于所述第一方向的所述第二方向上延伸同时贯穿所述衬底上的所述栅电极堆叠；串隔离区域，在所述第一区域中设置于所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间，并且在所述第二方向上延伸同时贯穿所述栅电极堆叠的一部分；以及多个辅助隔离区域，所述多个辅助隔离区域在所述第一区域和所述第二区域中的至少一个中与所述串隔离区域线形地设置，并且在所述第二方向上彼此间隔开。