[发明专利]集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)有效
| 申请号： | 201810642746.0 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108807128B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3213;H01L43/12;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 原子 工艺 ald 沉积 ale 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：(a)将容纳在室中的衬底暴露于蚀刻气体和去除气体的交替脉冲中以逐层蚀刻所述衬底；(b)将所述衬底暴露于第一反应物和第二反应物的交替脉冲中以在所述衬底上沉积膜；以及(c)在同一室中重复(a)和(b)。
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