[发明专利]可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法有效
| 申请号： | 201810643463.8 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109423616B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 何明杰;杨博文;罗司宪;曾顺良;郑文正;锺承芳;薛家麟;庄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 磁体 沉积 用于 改变 腔室中 磁场 分布 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于改变一沉积腔室中一磁场分布的方法，其特征在于，该方法包含：提供一靶材磁场分布；移除该沉积腔室中的多个第一固定磁体；用多个第二磁体各别替换所述多个第一固定磁体的每一个；执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的一尺寸；在该沉积腔室中量测一磁场分布；以及比较在该沉积腔室中量测的该磁场分布和该靶材磁场分布。
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