[发明专利]一种Si-P3HT杂化太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Si‑P3HT杂化太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：对n型硅片进行制绒处理；在所述n型硅片的下表面沉积钝化层并形成多个n型重掺杂区；在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区；接着在所述n型硅片的上表面依次形成第一P3HT层、第二P3HT层、第一PEDOT:PSS层以及第二PEDOT:PSS层；接着在所述n型硅片的上表面制备正面铜栅电极；最后在所述n型硅片的下表面制备背面银电极。

主权项

1.一种Si‑P3HT杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)对n型硅片进行制绒处理，在所述n型硅片的上表面形成绒面层；2)在所述n型硅片的下表面沉积钝化层，利用刻蚀工艺在所述钝化层中形成多个呈矩阵排布的通孔，接着通过选择性扩散磷以在所述n型硅片的下表面的部分区域上形成多个n型重掺杂区，每个所述n型重掺杂区与每个所述通孔对应设置；3)利用掩膜在所述n型硅片的上表面选择性扩散硼，以在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区，多个所述p型扩散区呈矩阵排布；4)在步骤3得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硒化钼二维纳米材料和P3HT的第一氯苯溶液，其中，第一氯苯溶液中P3HT的浓度为1‑2mg/ml，二硒化钼二维纳米材料的浓度为0.03‑0.08mg/ml，旋涂的转速为4500‑5000转/分钟，然后进行第一退火处理，形成第一P3HT层；5)在步骤4得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硒化钼二维纳米材料和P3HT的第二氯苯溶液，其中，第二氯苯溶液中P3HT的浓度为2‑3mg/ml，二硒化钼二维纳米材料的浓度为0.1‑0.2mg/ml，旋涂的转速为3500‑4000转/分钟，然后进行第二退火处理，形成第二P3HT层；6)在步骤5得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有银纳米线的第一PEDOT:PSS溶液，所述第一PEDOT:PSS溶液中银纳米线的浓度为0.1‑0.2mg/ml，旋涂的转速为3000‑4000转/分钟，然后进行第三退火处理，形成第一PEDOT:PSS层；7)在步骤6得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有银纳米线的第二PEDOT:PSS溶液，所述第二PEDOT:PSS溶液中银纳米线的浓度为0.3‑0.5mg/ml，旋涂的转速为2000‑3000转/分钟，然后进行第四退火处理，形成第二PEDOT:PSS层；8)在所述步骤7得到的所述n型硅片的上表面制备正面铜栅电极；9)在所述步骤8得到的所述n型硅片的下表面制备背面银电极。