[发明专利]一种新型异质结光伏电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新型异质结光伏电池及其制备方法，本发明的新型异质结光伏电池的制备过程中，首先在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区，然后再旋涂PEDOT:PSS溶液形成PEDOT:PSS层，使得本发明的新型异质结光伏电池中，一部分n型硅片与p型扩散区形成PN结，剩余部分的n型硅片与PEDOT:PSS层形成肖特基结，且通过优化p型扩散区尺寸以及相邻p型扩散区的间距，使得各p型扩散区均匀分散在n型硅片上，有效结合PN结和肖特基结的优势，有效提高了该新型异质结光伏电池的开路电压，进而提高其光电转换效率。

主权项

1.一种新型异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)对n型硅片进行制绒处理，在所述n型硅片的上表面形成绒面层；2)在所述n型硅片的下表面沉积钝化层，利用刻蚀工艺在所述钝化层中形成多个呈矩阵排布的通孔，接着通过选择性扩散磷以在所述n型硅片的下表面的部分区域上形成多个n型重掺杂区，每个所述n型重掺杂区与每个所述通孔对应设置；3)利用掩膜在所述n型硅片的上表面选择性扩散硼，以在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区，多个所述p型扩散区呈矩阵排布；4)在步骤3得到的的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硫化铌二维纳米材料的第一PEDOT:PSS溶液，其中，第一PEDOT:PSS溶液中二硫化铌二维纳米材料的浓度为0.04‑0.08mg/ml，旋涂的转速为4000‑5000转/分钟，然后进行第一退火处理，形成第一PEDOT:PSS层；5)在步骤4得到的的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硫化铌二维纳米材料的第二PEDOT:PSS溶液，其中，第二PEDOT:PSS溶液中二硫化铌二维纳米材料的浓度为0.06‑0.1mg/ml，所述第二PEDOT:PSS溶液中二硫化铌二维纳米材料的浓度大于所述第一PEDOT:PSS溶液中二硫化铌二维纳米材料的浓度，旋涂的转速为3000‑4000转/分钟，然后进行第二退火处理，形成第二PEDOT:PSS层；6)在步骤5得到的的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硫化铌二维纳米材料的第三PEDOT:PSS溶液，所述第三PEDOT:PSS溶液中二硫化铌二维纳米材料的浓度为0.15‑0.3mg/ml，旋涂的转速为2000‑3000转/分钟，然后进行第三退火处理，形成第三PEDOT:PSS层；7)在所述步骤6得到的所述n型硅片的上表面制备正面铜栅电极；8)在所述步骤7得到的所述n型硅片的下表面制备背面银电极。