[发明专利]一种钼基片真空镀钌的方法在审
| 申请号： | 201810645135.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108796445A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郭顺华;陈敏 | 申请（专利权）人： | 江苏时代华宜电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料的电镀技术领域，具体涉及一种钼基片真空镀钌的方法，包括如下步骤：步骤1，将钼片放入清洗釜中进行表面化学预处理，吹干后得到干净的钼片；步骤2，将干净钼片放入真空镀膜设备内进行抽高真空，形成真空体系；步骤3，真空镀膜设备加热升温形成高温体系，然后进行物理气相沉积法镀钌，降温得到单面镀钌钼片；步骤4，取出钼片翻转后重新放入真空镀膜设备内，抽高真空形成真空体系；步骤5，将真空镀钌设备加热形成高温体系，然后进行物理气相沉积法二次镀钌，降温后取出得到双面镀钌钼片。本发明解决了现有技术中化学镀污染严重，且稳定性差的问题，通过真空镀膜法形成良好的绿色镀膜法，且不产生任何有害物质。 | ||
| 搜索关键词： | 钼片 真空镀膜设备 真空镀 放入 物理气相沉积法 抽高真空 高温体系 真空体系 钌钼 取出 半导体材料 表面化学预处理 电镀技术领域 真空镀膜法 加热升温 单面镀 镀膜法 化学镀 双面镀 翻转 吹干 加热 清洗 污染 | ||
【主权项】：
1.一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，将钼片放入清洗釜中进行表面化学预处理，吹干后得到干净的钼片；步骤2，将干净钼片放入真空镀膜设备内进行抽高真空，形成真空体系；步骤3，真空镀膜设备加热升温形成高温体系，然后进行物理气相沉积法镀钌，降温得到单面镀钌钼片；步骤4，取出钼片翻转后重新放入真空镀膜设备内，抽高真空形成真空体系；步骤5，将真空镀钌设备加热形成高温体系，然后进行物理气相沉积法二次镀钌，降温后取出得到双面镀钌钼片。
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