[发明专利]二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底及其加工方法在审
| 申请号： | 201810645247.7 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108680979A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈志斌;肖程;秦梦泽;张冬晓 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军63908部队 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G01N21/65 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 胡澎 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底及其加工方法。本发明SERS基底是由三层结构组成，包括位于底部的SiO2基层、位于所述SiO2基层上表面的固化的光刻胶衬层以及附着在所述固化的光刻胶衬层上表面的贵金属膜层；所述固化的光刻胶衬层的上表面和所附着的贵金属膜层呈现二维正弦光栅结构的分布形式，用以在任意偏振方向的入射激光激励情况下产生稳定的增强电场强度。本发明二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底的使用，可使得在实际SERS应用检测中无须调整入射激光偏振方向，由此简化了SERS检测过程，提高了实际工作中SERS检测的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 正弦光栅 二维 基底 偏振敏感 光刻胶 衬层 固化 贵金属膜层 入射激光 上表面 偏振 附着 基层上表面 分布形式 三层结构 应用检测 检测 加工 基层 | ||
【主权项】：
1.一种二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底，其特征是，由三层结构组成，包括位于底部的SiO2基层、位于所述SiO2基层上表面的固化的光刻胶衬层以及附着在所述固化的光刻胶衬层上表面的贵金属膜层；所述固化的光刻胶衬层的上表面和所附着的贵金属膜层呈现二维正弦光栅结构的分布形式，用以在任意偏振方向的入射激光激励情况下产生稳定的增强电场强度。
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