[发明专利]一种波长可调谐的半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201810645722.0 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN108683078B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 林中晞;林琦;徐玉兰;陈景源;钟杏丽;朱振国;薛正群;苏辉 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/10
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 张祖萍
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器,包括:有源层、波导层和分离限制层;其中,波导层位于有源层和分离限制层之间;波导层包括脊波导和微腔,微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器,利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应,能够增大半导体激光器的3dB带宽,实现高速调制。本发明提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构,实现对半导体激光器波长的选择性输出。
搜索关键词: 一种 波长 调谐 半导体激光器
【主权项】:
1.一种波长可调谐的半导体激光器,其特征在于,包括:有源层、波导层和分离限制层;其中,波导层位于有源层和分离限制层之间;波导层包括脊波导和微腔,微腔位于脊波导的一侧。
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