[发明专利]钛酸锶单晶表面金属化的制备方法在审
申请号: | 201810647409.0 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN108774749A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 金克新;张兆亭;闫虹;王民;王拴虎 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法,用于解决现有方法实现表面金属导电容易导致SrTiO3单晶表面污染的技术问题。技术方案是通过激光与物质的强相互作用导致在钛酸锶表面产生氧空位,通过调节氧压和激光能量密度,控制钛酸锶单晶表面的金属性。本发明通过改变氧压和准分子激光能量密度控制钛酸锶的金属性,不需要外延薄膜沉积就可使钛酸锶晶体呈现金属态,与背景技术氩离子轰击表面相比,该方法操作简便,无污染,能够多方位的控制钛酸锶表面的金属性,在未来电子器件领域有潜在的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 钛酸锶单晶 金属性 钛酸锶 表面金属化 氧压 制备 电子器件领域 准分子激光 氩离子轰击 钛酸锶晶体 表面金属 表面污染 激光能量 密度控制 外延薄膜 金属态 潜在的 氧空位 导电 沉积 激光 应用 | ||
【主权项】:
1.一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、将钛酸锶单晶置于真空腔中聚透镜焦点与透镜之间,对真空腔抽真空至背底真空度,背底真空度为1×10‑4~1×10‑9Pa,再通入氧气调节进气阀以达到目标氧偏压,目标氧偏压为5×10‑4~1×105Pa;步骤二、将激光器调至目标参数,即光子能量为5.0eV,激光波长为248nm,激光能量密度为250~650mJ/mm2;步骤三、开启激光器,照射钛酸锶单晶20~10800s,使钛酸锶单晶表面产生氧空位进而转变为金属态。
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