[发明专利]石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法有效
| 申请号： | 201810647726.2 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109037321B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王晶;封路;阮良浩;赵文生;张海鹏 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/165;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下，沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带，沟道一段内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 条带 异质结双栅 tfet 及其 开关 特性 提升 方法 | ||
【主权项】：
1.石墨烯条带异质结双栅TFET，包括顶栅、底栅、栅氧化层、源区、漏区和沟道，其特征在于：所述的源区、漏区和沟道位于顶部栅氧化层及底部栅氧化层之间；底栅位于底部的栅氧化层下方，顶栅位于顶部的栅氧化层上方，且顶栅和底栅在长度方向上均与沟道对齐设置；源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；源区、漏区和沟道的宽度相等；所述的沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。
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