[发明专利]基于基片集成波导SIW的背腔缝隙双频毫米波天线有效
| 申请号： | 201810648517.X | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108832288B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 洪涛;赵哲民;高雨辰;张帅;王兴;龚书喜 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/18 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 杨春岗;陈宏社 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于基片集成波导SIW的背腔缝隙双频毫米波天线，该天线包括辐射层、馈电层和复合转换结构，辐射层由第一金属覆层和第一矩形介质板组成，所述第一金属覆层蚀刻有两条相互平行的矩形辐射缝隙，第一矩形介质板上设置有第一金属化通孔，用于构成圆形基片集成波导SIW谐振腔；馈电层由第二矩形介质板、第二上层金属覆层和第二下层金属覆层组成，第二矩形介质板上设置有渐变“U”型分布的第二金属化通孔，构成基片集成波导，第二上层金属覆层蚀刻有矩形耦合缝隙，用于缝隙耦合馈电；本发明实现了毫米波双频段辐射的性能，并解决了现有技术中双频毫米波天线阻抗带宽窄、天线辐射增益和效率低以及馈电结构复杂的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 波导 siw 缝隙 双频 毫米波 天线 | ||
【主权项】：
1.一种基于基片集成波导SIW的背腔缝隙双频毫米波天线，包括辐射层(1)、馈电层(2)和复合转换结构(3)，所述辐射层(1)由第一金属覆层(11)和第一矩形介质板(12)组成；所述第一金属覆层(11)印制在第一矩形介质板(12)的上表面；所述馈电层(2)包括第二矩形介质板(22)、第二上层金属覆层(21)和第二下层金属覆层(23)；所述复合转换结构(3)蚀刻在第二矩形介质板(22)的第二下层金属覆层(23)下表面短边的边缘处，其特征在于：所述第一矩形介质板(12)设置有贯穿于第一金属覆层(11)和第一矩形介质板(12)的第一金属化通孔(13)，该第一金属化通孔(13)构成圆形分布的基片集成波导SIW谐振腔；所述第一金属覆层(11)的上表面中心两侧蚀刻有两条相互平行的矩形辐射缝隙(111)，且关于第一矩形介质板(12)相垂直的xoz面对称分布；所述第二矩形介质板(22)的短边边缘的一侧，开设有贯穿于第二上层金属覆层(21)和第二下层金属覆层(23)呈渐变“U”型分布的第二金属化通孔(24)，该渐变“U”型分布的第二金属化通孔(24)的几何中心，关于第二矩形介质板的几何中心的y轴对称分布；所述第二上层金属覆层(21)，在位于渐变“U”型分布的第二金属化通孔(24)的底部蚀刻有矩形耦合缝隙(211)，所述矩形耦合缝隙(211)的几何中心，关于第二矩形介质板(22)几何中心的y轴对称分布；所述矩形耦合缝隙(211)的几何中心，且关于第一金属化通孔(13)形成的圆形基片集成波导SIW谐振腔的中心沿z轴方向重合，用于缝隙耦合馈电。
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