[发明专利]一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积‑电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。

主权项

1.一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）三维金纳米柱阵列电极的制备：首先采用化学沉积法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜模板上沉积金，通过控制沉积时间，使膜孔内充满实心的金纳米柱，而后去除表面金膜，通过导电胶带固定在集流体上，边缘用绝缘胶带密封，制得二维金纳米盘阵列电极；之后采用恒电位电沉积法在制得的二维金纳米盘阵列电极表面继续电沉积金，通过控制沉积电位和沉积时间，使二维金纳米盘阵列电极表面的金纳米盘生长为金纳米柱，得到三维金纳米柱阵列电极；（2）电聚合修饰聚硫堇：将5 mmol/L硫堇溶于pH=2.5的醋酸溶液中，以三维金纳米柱阵列电极为工作电极，铂电极为辅助电极，Ag/AgCl电极为参比电极，采用循环伏安法制备聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；（3）戊二醛的结合：将聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极浸入2.5%戊二醛的磷酸缓冲溶液中，恒温28~32 ℃，反应时间为50~60 min，得到戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；（4）冈田酸抗体的固定：将0.02 mg/mL的无标记冈田酸抗体溶液滴加到戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极表面，在室温下反应60~70 min，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；（5）封闭：将步骤（4）得到的电极浸入3%牛血清蛋白溶液中，恒温28~32 ℃，反应时间为50~60 min，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。