[发明专利]一种基于TSV和RDL的三维电容器有效
| 申请号： | 201810650523.9 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108987374B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;黄嘉;余宁梅 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器，包括硅衬底，硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同，RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV，各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器，在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器，大幅提高了集成电容器的质量和电容密度，可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv rdl 三维 电容器 | ||
【主权项】：
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