[发明专利]金刚石基氮化镓器件制造方法有效

申请号：	201810651735.9	申请日：	2018-06-26
公开（公告）号：	CN108847392B	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	倪贤锋;范谦;何伟	申请（专利权）人：	苏州汉骅半导体有限公司
主分类号：	H01L21/335	分类号：	H01L21/335;H01L29/778
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	215000 江苏省苏州市工业园区***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层和介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；将形成的衬底‑氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置；去除所述衬底。综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化。
搜索关键词：	氮化镓器件金刚石金刚石层介质层衬底氮化镓缓冲层尺寸金刚石金刚石形核图案化制造晶圆生长预设图案倒置产业化氮化镓去除申请
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【主权项】：

1.一种金刚石基氮化镓器件制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底上依次生长氮化镓缓冲层和介质层，生长所述介质层的温度为700℃-1100℃，所述介质层的厚度小于等于5nm；/n在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；/n所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；/n将形成的衬底-氮化镓缓冲层-介质层-金刚石层结构倒置；/n去除所述衬底。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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