[发明专利]具有存储单元的集成电路及其产生方法有效
| 申请号： | 201810652382.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109390370B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 布山·巴拉特;陈元文;岑柏湛;蒋懿;易万兵 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体层。如此，该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 单元 集成电路 及其 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包含：包含埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底；上覆于该埋置型绝缘体层的晶体管；以及下伏于该埋置型绝缘体层的存储单元，使得该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。
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