[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置包括基板；半导体鳍片位于基板上，且纵向方向沿着第一方向；第一多介电层(MDL)鳍片和第二多介电层鳍片位于基板上，且纵向方向沿着第一方向，其中第一和第二多介电层鳍片与半导体鳍片交互混合配置，其中第一多介电层鳍片中的每一个和第二多介电层鳍片中的每一个包括外部介电层和内部介电层，其中外部介电层和内部介电层有不同的介电材料；而且栅极结构其纵向方向沿着大致垂直于第一方向的第二方向，其中栅极结构沿着第一方向彼此间隔，且沿着第二方向被第一多介电层鳍片隔开，其中栅极结构接合于半导体鳍片和第二多介电层鳍片。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；半导体鳍片，位于该基板上，并且纵向方向沿着一第一方向；第一多介电层鳍片和第二多介电层鳍片，位于该基板上，并且纵向方向沿着该第一方向，其中该第一多介电层鳍片和该第二多介电层鳍片与该半导体鳍片交互混合配置，其中该第一多介电层鳍片中的每一个和该第二多介电层鳍片中的每一个包括一外部介电层和一内部介电层，其中该外部介电层和该内部介电层具有不同的介电材料；以及栅极结构，纵向方向沿着大致垂直于该第一方向的一第二方向，其中该栅极结构沿着该第一方向彼此间隔，并且沿着该第二方向被该第一多介电层鳍片隔开，其中该栅极结构接合该半导体鳍片和该第二多介电层鳍片。